6 січня 2026 року Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України відвідало керівництво Національної академії наук України в особі першого віцепрезидента НАН України, голови Секції фізико-технічних і математичних наук НАН України академіка НАН України Вячеслава Богданова й академіка-секретаря Відділення фізики і астрономії НАН України академіка НАН України Михайла Бондаря. До складу делегації увійшов також учений секретар Секції фізико-технічних і математичних наук НАН України доктор технічних наук Сергій Беспалов. Метою візиту стало безпосереднє ознайомлення з науковою діяльністю Інституту, його кадровим та інфраструктурним потенціалом, а також обговорення актуальних завдань і стратегічних перспектив розвитку напівпровідникової мікроелектроніки у системі академічної науки в умовах сучасних викликів.
Гостей зустріли виконувач обов’язків директора Інституту доктор фізико-математичних наук Віктор Мельник, виконувач обов’язків заступника директора з наукової роботи Інституту кандидат фізико-математичних наук Сергій Мамикін і радник при дирекції Інституту академік НАН України Олександр Бєляєв.
Знайомство з установою розпочалося з короткого огляду Інституту, під час якого було окреслено його роль і місце у структурі Національної академії наук України як одного з провідних центрів прикладних і фундаментальних досліджень.
Виконувач обов’язків директора Інституту доктор фізико-математичних наук Віктор Мельник виступив із ґрунтовною доповіддю про сучасний стан установи, її структуру, кадровий потенціал і пріоритетні напрями наукової діяльності, наголосивши, що протягом п’яти останніх років Інститут здійснив суттєву реструктуризацію та оптимізацію кадрового складу, бере участь у виконанні актуальних державних прикладних і фундаментальних програм (зокрема, пріоритетної тематики Національної академії наук України й інфраструктурного проєкту за грантом Національного фонду досліджень України), зберігає статус одного з провідних центрів прикладної фізичної науки (за підсумками державної атестації наукових установ Інститут здобув категорію «А»).
У доповіді було окреслено ключові тематичні напрями досліджень, серед яких:
- фізика процесів взаємодії електромагнітного випромінювання з речовиною;
- фізика низьковимірних систем, мікро- та наноелектроніка;
- оптоелектроніка та сонячна енергетика;
- напівпровідникове матеріалознавство та сенсорні системи.
Доповідач підкреслив, що ці напрями розвиваються відповідно до сучасних наукових тенденцій та у тісній співпраці з провідними міжнародними дослідницькими центрами, а частка фінансування за рахунок коштів спецфонду зросла до 50%.
Окрему увагу було приділено структурі Інституту. Гостей з Президії Академії поінформували про роботу дванадцяти наукових відділів установи. Саме в межах цих підрозділів збереглись і активно розвиваються наукові школи, закладені академіками НАН України Вадимом Лашкарьовим, Соломоном Пекарем, Сергієм Свєчніковим, Михайлом Лисицею та Олексієм Снітком, які сформували фундамент української фізики напівпровідників і здобули для неї міжнародне визнання.
Розповідаючи про кадровий потенціал, Віктор Мельник зауважив, що сьогодні в Інституті працює понад 300 науковців – як досвідчених учених, так і молодих дослідників. Аспіранти установи безпосередньо залучені до виконання прикладних і фундаментальних досліджень та участі у міжнародних наукових проєктах. Постійна професійна підготовка нового покоління вчених є ключовою умовою сталого розвитку установи. За підсумками нещодавнього конкурсу на заміщення вакантних посад змінилась і частина керівників наукових підрозділів, а середній вік керівників відділів зменшився з 66 до 50 років.
Далі директор Інституту коротко зупинився на отриманих в останні роки найвагоміших наукових результатах, які вже здобули міжнародне визнання.
Зокрема, у співпраці з польськими колегами досліджуються збудження терагерцових коливань у наноструктурах (плазмони) задля детектування, підсилення та генерації електромагнітних хвиль терагерцового діапазону. Запропоновано новий клас гібридних напівпровідникових структур – плазмонні кристали. Результати досліджень опубліковано у таких престижних журналах, як “PhysRev” і “Nature Communications”.
В Інституті розроблено методичні засади ультрачутливого нанозондового контролю механічних параметрів нанометрових шарів GeSn. Великий інтерес до цього напівпровідникового матеріалу в світі зумовлений його сумісністю з усталеною кремнієвою технологією, а також здатністю поглинати світло інфрачервоного діапазону, яку практично без обмежень можна зміщувати у бік більших довжин хвиль, збільшуючи вміст олова у сплаві. Отримання твердих розчинів GeSn із довільним вмістом олова стане основою технологічного прориву в галузі високошвидкісних оптоволоконних мереж і створенням точніших тепловізорів для медичного та військового використання й екологічного моніторингу.
Тривають дослідження зі створення ключових елементів оптоелектронних пристроїв для інфрачервоного діапазону спектру. Зокрема, розроблено методи проєктування фоточутливих модулів на основі вузькозонних напівпровідників; створено сучасний технологічний комплекс для виготовлення експериментальних зразків фотомодулів та оптимізації технологічних процесів і технологій; розроблено базові конструкції фоточутливих модулів і технологічний маршрут їхнього виготовлення.
Потому керівництво Академії поспілкувалося з колективом Інституту й завідувачами наукових підрозділів. Розмова мала формат відкритого діалогу, що дало змогу обговорити не лише результати роботи, а й повсякденні питання функціонування наукової установи.
Завідувачі відділів теоретичної фізики, йонно-променевої інженерії і структурного аналізу, кінетичних явищ та поляритоніки, інфрачервоної та терагерцової електроніки, а також Центру колективного користування науковими приладами коротко схарактеризували діяльність своїх підрозділів, їхній кадровий склад, участь у міжнародних проєктах і наукові зв’язки з українськими й закордонними установами. До обговорення долучились академік НАН України Олександр Бєляєв і члени-кореспонденти НАН України Вячеслав Кочелап та Володимир Лисенко.
Особливу увагу було приділено реалізації інфраструктурного проєкту Інституту, підсиленню можливостей технологічної ділянки та пошуку шляхів залучення талановитої молоді для нарощення потужностей Інституту. Обговорювалися також можливі напрями розвитку Академії, активну участь у забезпеченні яких може взяти Інститут.
Підсумовуючи візит, керівництво Національної академії наук України відзначило, що Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України зберігає роль одного з провідних центрів діагностики напівпровідникових матеріалів і осередків розвитку підґрунтя мікроелектронного виробництва для потреб держави. Попри складні сучасні виклики, Інститут демонструє високий рівень наукових результатів, потужний кадровий потенціал, розвинену діагностичну складову та відкритість до українського суспільства, лишаючись простором, де впроваджуються ідеї ключових українських технологій та розробок, що здатні формувати майбутній ландшафт прикладної та фундаментальної фізичної науки в українських реаліях.
За інформацією Інституту фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Фото: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
