1.3. Будова та властивості наносистем
Мета:Вивчення особливостей електрофізичних, оптичних та фотоелектричних властивостей, зумовлених наявністю локалізованих станів в нанорозмірних гетероструктурах на основі сполук AIVBIV, їх оксидів та рідкоземельних елементів, що виготовлені методом молекулярно-променевої епітаксії.
Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: методів, теорій
Етап 1:Розробка систем ансамблів квантових точок в багатошарових нанорозмірних системах на основі МПЕ сполук AIVBIV, їх оксидів та детальне дослідження морфології та структурних характеристик за допомогою використання високороздільної атомної силової мікроскопії, а саме визначення латеральних розмірів, однорідності розподілу за розмірами, тривимірної форми нанокластерів та орієнтації фасет, а також упорядкування квантових точок в залежності від умов росту.
Етап 2:Вивчення особливостей генерації та транспорту нерівноважних носіїв заряду, зумовлених наявністю енергетичних рівнів розмірного квантування, домішок з глибокими рівнями в багатошарових гетероструктурах Si-Ge та структурах з наноострівцями Ge, вирощених на плівці SiO2. Для цього заплановано дослідження фотопровідності (як інтегральної, так і локальної за допомогою АСМ мікроскопу), поверхневу фото-ерс, спектри фотолюмінесценції, а також їх температурні залежності.
Етап 3:Розробка та виготовлення методик молекулярно-променевої епітаксії дво- та тривимірних систем АIVBIV з ізовалентними домішками Er. Первинне дослідження оптичних та часових характеристик таких електронних систем та розробка методик їх дослідження.
Етап 4:Аналіз отриманих результатів для дослідження зонно-структурних перетворень в отриманих зразках (АIVBIV), ербій та їх оксиди.
Етап 5:Визначення фундаментальних залежностей електронно-оптичних властивостей від параметрів епітаксійного росту. Надання обґрунтованих рекомендацій щодо застосування досліджених систем в опто- та наноелектроніці.