1.4. Діагностика та моделювання наносистем
Мета:На основі розробки і використання нових методів електричної і термоактиваційної діагностик провести дослідження і з'ясувати механізми формування перехідних шарів між нанорозмірними ізолюючими плівками кристалічних і аморфних оксидів РЗ з напівпровідниками IV групи (Si, Ge) і А3В5 (GaAs), а також механізми переносу заряду крізь системи РЗ оксид-напівпровідник.
Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: методів, теорій
Етап 1:Модифікація обладнання і програмного забезпечення для вимірів для вимірів захоплення заряду в діелектрику в режимі постійного струму, термодепо-лярізаційних (300-700К) та термо-активаційних (4,2-150 К) вимірювань з лінійними розгортками температури.
Етап 2:Дослідження формування поверхневих станів від температури відпалу і кристалічної орієнтації на межі поділу кремній або арсенід галію з рідко-земельним оксидом.
Етап 3:Проведення порівняль-них досліджень захоплення заряду в нанорозмірних шарах рідко-земельних оксидів в залежності від положення рідкої землі в Періодичній таблиці.
Етап 4:Термо-активаційні дослідження поляризації в нано-кластерах з рідкої землі і захоплення заряду у перехідних шарах нанотонких рідко-земельних оксидів
Етап 5:Порівняльні дослідження захоплення заряду з часом у діелектрику насиченому нано-кластерами рідкої землі. Розробка механізмів переносу і захоплення заряду в нанотонких оксидах рідкої землі.