1.2. Фізика напівпровідникових наноструктур
Мета:З’ясування умов формування телуровмісних напівпровідникових нанокристалів і утворень кластерного типу за участі атомів халькогенів у композитах та можливостей модифікації їх фізичних характеристик дією потоків іонізуючого випромінювання (високоенергетичних електронів з енергією 4-18 МеВ та рентгенівського випромінювання).
Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: методів, теорій
Етап 1:Дослідження умов утворення телуровмісних напівпровідникових нанокристалів і утворень кластерного типу в діелект-ричних матрицях
Етап 2:Вивчення особливостей оптичних процесів у композитах з телуровмісними напівпровідни-ковими нанокристалами і кластерми халькогену та впливу рентгенівського опромінення на їх оптичні характеристики
Етап 3:Отримання композитів з багато-компо¬нентними напівпровід¬ни-ковими нанокристалами і кластерами халькогену та радіаційно індукована модифікація їх фізичних властивостей
Етап 4:Вивчення впливу опромінення на оптичні характеристики композитів з багатокомпо-нентними напівпровідни-ковими нанокристалами і утвореннями кластерного типу та відновлення вихідних параметрів внаслідок термообробки
Етап 5:Дослідження радіаційно індукованих змін та процесів відпалу у композитах з телуровмісних напівпровідникових нанокристалами й утвореннями кластерного типу