Опис НТП: | Теоретично встановлено, що в гетероструктурах на основі моношарового графену, двошарового графену, альфа-графіну і топологічних ізоляторів можливо реалізувати протиструмову надпровідність при відносно високій (1-100 К) температурі. Визначено, що температура надпровідного переходу Tc збільшується зі збільшенням концентрації електронів і дірок, досягає максимуму при певній концентрації, а при подальшому збільшенні концентрації різко падає. Максимальна температура обернено пропорційна відстані між провідними шарами. Показано, що високу Tc можна отримати в системі "моношаровий графен - діелектрик - моношаровий графен," яка знаходиться в середовищі з малою діелектричною проникністю. Наявність діелектричної підкладки або діелектричного оточення з великою проникністю призводе до суттєвого (на декілька порядків) падіння температури переходу. Встановлено, що при використанні двошарового графену замість моношарового негативна роль підкладки значно менша - максимальна Tc зменшується лише в декілька разів. Показано, що при використанні альфа-графіну замість моношарового графену можна збільшити Tc у двічі у порівнянні з моношаровим графеном. Встановлено, що протиструмову надпровідність з високою критичною температурою можна отримати в структурі "моношаровий гра-фен - діелектрик - моношаровий графен" на підкладці, якщо систему поміщено в перпендикулярне шарам магнітне поле. |