Публікації, в яких представлені результати проекту |
045 Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN |
Автори: | Стрельчук В.В., Кладько В.П., Авраменко К.А., Коломыс А.Ф., Сафрюк Н.В., Конакова Р.В., Явич Б.С., Валах М.Я., Мачулин В.Ф., , Беляев А.Е. | |
Реферат: | Методом высокоразрешающей рентгеновской дифракции и сканирующей конфокальной спектроскопии
комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы пространственное распределение деформаций в
слоях InxGa1−xN/GaN и кристаллическое качество слоев многослойной светодиодной структуры, полученной
методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD) на сапфировых подложках ориентации (0001). Показано,
что упругие деформации практически полностью релаксируют на гетерогранице между толстым буферным
слоем GaN и буферной сверхрешеткой InxGa1−xN/GaN. Установлено, что слои GaN в сверхрешетке
находятся в состоянии растяжения, а слои твердого раствора — в состоянии сжатия. В абсолютных
значениях деформации растяжения слоев GaN меньше, чем деформации сжатия слоев InGaN. Показано,
что слои сверхрешетки являются менее дислокационными по сравнению с буферными слоями, с более
хаотичным распределением дислокаций. Исследования спектров микро-КРСпри сканировании по глубине
многослойной структуры позволили получить прямое доказательство наличия градиентного асимметричного
профиля распределения деформаций и кристаллического качества эпитаксиальных нитридных слоев вдоль
направления роста. Показано, что интенсивность излучения квантовых ям InxGa1−xN значительно превышает
(более чем в 30 раз) излучение барьерных слоев GaN, и это свидетельствует о высокой эффективности
захвата носителей квантовой ямой. | |
Ключові слова: | Напівпровідники, III нітриди, високороздільна дифрактометрія | |
Видання: | Физика и техника полупроводников | | | 2010,
1199-1210,англійська |
045 Х-променеві дослідження деформаційного стану надграткових структур InGaN/GaN |
Автори: | Кладько В.П., Кучук А.В., Сафрюк Н.В., Мачулін В.Ф., Бєляєв О.Є., Конакова Р.В., Явіч Б.С. | |
Реферат: | Методом высокороздільної рентгенівської дифракції і скануючої конфокальної спектроскопії
комбінаційного розсіяння світла (КРС) досліджено просторовий розподіл деформацій в шарах InGa1−xN/GaN та кристалычна якысть шарыв багатошаровоъ світлодіодної структури, отриманої
методом МОС-гідридної епітаксії (MOCVD) на сапфірових підкладках орієнтації (0001). Показано,
що пружні деформації практично повністю релаксують на гетерограниці між товстим буферним шаром GaN і буферною надграткою InxGa1−xN/GaN. Встановлено, що шари GaN в надгратці
знаходяться в стані розтягу, а шари твердого розчину — в стані стиску. В абсолютних
значеннях деформації розтягу шарів GaN менші, ніж деформація стиску шарів InGaN. Показано,
що шари надгратки являються менш дислокаційними в порівнянні з буферними шарами, з більш
хаотичним розподілом дислокацій. | |
Ключові слова: | Багатошарова структура, релаксація деформацій, дислокації невідповідності | |
Видання: | | | | 2010,
1-7,англійська |
045 Вплив типу підкладки та деформацій в буферному шарі на структурні властивості шарів GaN в багатошарових квантових структурах. Х-променневі дослідження |
Автори: | В.П. Кладько, А.В. Кучук, Н.В. Сафрюк, В.Ф. Мачулін, П.М. Литвин, В.Г. Райчева, О.Є. Бєляєв, Ю.І. Мазур, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo | |
Реферат: | Вплив типу підкладки та залишкових деформацій в буферному шарі на структурні властивості в надграткових структурах GaN/AlN досліджувався з допомогою високороздільної Х-променевої дифракції. Використовувались сапфірові підкладки, ефективне потоншання квантових ям GaN і відповідне потовщання бар'єрів АlN було більшим при рості на Al-темплейті в порівнянні з ростом на більш товстому темплейті GaN. Більш того спостерігався вплив темплейту на бімодальну релаксацію деформацій в НГ. НГ вирощені на GaN темплейті релаксують в основному через утворення тріщин, а структури на AlN темплейті через утворення дислокацій. | |
Ключові слова: | Квантові ями, залишкові деформації, високороздільна Х-променева дифракція | |
Видання: | | | | 2011,
025403(8),англійська |
045 Вплив підкладки на релаксацію деформацій в короткоперіодних надгратках GaN/AlN |
Автори: | В.П. Кладько, А.В. Кучук, П.М. Литвин, О.М.Єфанов, Н.В. Сафрюк, О.Є.Бєляєв, Ю.І. Мазур,.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo
| |
Реферат: | Було проведено порівняльне дослідження релаксації деформацій в короткоперіодних НГ GaN/AlN вирощених на двох різних III нітридних підкладках з різним рівнем деформацій. НГ з орієнтацією (0001) на буферному шарі GaN вирощувались методом PAMBE. Було показано, що в таких структурах релаксація деформацій відбувається через утворення дислокаці та тріщин, а також через потоншання чи потовщання товщин окремих шарів НГ. | |
Ключові слова: | Короткоперіодні надгратки, проникаючі дислокації, АС топографія | |
Видання: | Nanoscale Research Letters | | | 2012,
289 (1-9),англійська |
045 Моделювання кривих дифракційного відбиття для нанодротів GaN на Si(1 1 1) |
Автори: | В.П.Кладько, А.В.Кучук, Г.В.Станчу, Н.В. Сафрюк, О.Є.Бєляєв, A. Wierzbicka, M. Sobanska, K. Klosek, Z.R. Zytkiewicz | |
Реферат: | Були проведені теоретичні та експериментальні дослідження Х-променевих дифракційних кривих та мап оберненого простору від самоіндукованих нанодротів GaN на Si(111) підкладках. За допомогою числової симуляції було показано який саме вклад в уширення дифракційних кривих дають такі параметри як діаметри, довжина дротів, деформації та розорієнтація | |
Ключові слова: | Нанодроти, мапи оберненого простору, параметри мозаїчності | |
Видання: | | | | 2014,
348-350,англійська |
Конференції, семінари, читання, на яких представлені результати проекту |
|
045 Напрям 3. Діагностика наноструктур Мета:розробка методів діагностики наноструктур за допомогою високороздільної рентгенівської дифрактометрії і рефлектометрії Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: методів, теорій Етап 1:Розробка методів моделювання експериментальних двомірних карт розподілу інтенсивності дифракції рентгенівських променів для кількісної діагностики наноструктур Етап 2:Розробка і апробація методик високороздільної Х-променевої дифрактометрії (метод аналізу кривих гойдання, карт розподілу інтенсивності в оберненому просторі) та рефлектометрії для вимірювань деформаційних характеристик, компонентного складу, геометричних параметрів і топографії поверхні наноматеріалів Етап 3:Розробка експериментальних методик вимірювання ступеня релаксації з допомогою карт розподілу інтенсивності в оберненому просторі для напівпровідникових гетероструктур і наносистем Етап 4:Аналіз структурних дефектів, пружних деформацій, хімічного складу, термонапружень в системах з квантовими нитками, точками та реальних елементів нано- і оптоелектроніки Етап 5:Затвердження лабораторії ВРРД як випробувальної для проведення технічних операцій, що полягають у визначенні характеристик структури наноматері-алів або приладів на їх основі згідно з встановленою процедурою, із правом видачі сертифікату відповідності
|