Публікації, в яких представлені результати проекту |
040 Вплив високотемпературного відпалу на оптичні та фотолюмінесцентні властивості нанокристалічних SiC плівки |
Автори: | Лопін О.В., Семенов О.В., Пузіков В.М., Вовк О.М., Дмітрук І.М., Романо В. | |
Реферат: | Оптичні та фото люмінесцентні (ФЛ) властивості нанокристалічних 3C-SiC плівок і вплив граничних областей між нанокристалами вивчали для двох наборів плівок: (а) плівки з розмірами нанокристалів 10-15 нм, отримані методом прямого осадження іонів і (б) аналогічні плівки після відпалу в кисні при 850-950 ° С. Було показано, що відпал нанокристалічних плівок SiC призводить до слабкого поглинання в широкому спектральному діапазоні, а також до збільшення оптичної ширини забороненої зони від 1,8 до 2,2 еВ. Края смуги ФЛ в УФ-діапазоні (від 2,2 до 2,4 еВ) залишаються схожі. В ІЧ-діапазоні, у вихідних плівках люмінесценція відсутня, після відпалу, з'явилися три максимуми ФЛ на 1,52 еВ, 1,56 еВ і 1,63 еВ. Вимірювання інтенсивності ФЛ максимумів залежно від потужності збудження показали нелінійну залежність, що було пов'язано з початком вимушеного випромінювання. | |
Ключові слова: | Фотолюмінесцентні (ФЛ) властивості, нанокристалічні 3C-SiC плівки, метод прямого осадження іонів. | |
Видання: | Thin Solid Films V. 520, Issue 21 | | | 2012,
P. 6626 -6630,англійська |
040 Одержання і властивості плівок нанокристалічного карбіду кремнію |
Автори: | Пузіков В.М, Семенов О.В., Лопін О.В. | |
Реферат: | У цьому огляді представлені останні результати досліджень особливостей процесів формування плівок нанокристалічного SiC в умовах прямого осадження іонів вуглецю і кремнію з підвищеною енергією, а також структури та властивостей отриманих nc-SiC плівок | |
Ключові слова: | nc-SiC плівки, іони вуглецю і кремнію | |
Видання: | У книжці "Кристалічні матеріали для оптики та електроніки". Під редакцією В. М. Пузікова.Харків: Інститут монокристалів. | | | 2012,
330 - 397,російська |
040 Розсіяння світла в плівках нанокристалічного карбіду кремнію (ncSiC) |
Автори: | О.В. Семенов, О.В. Лопін, В.М. Пузіков, П. В Матейченко. | |
Реферат: | Вивчено кореляції оптичних та структурних характеристик плівок нанокристалічного карбіду кремнію, отриманих методом прямого іонного осадження на сапфірові підкладки. Досліджено вплив розсіювання електромагнітного випромінювання в плівках nc-SiC на їх оптичні характеристики (пропускання, відбиття і поглинання). Показано, що в плівках nc-SiC, осаджених при температурі <700 ° C, розсіювання мінімально завдяки їх морфологічної та структурної однорідності. Плівки, отримані при температурі> 1000 ° C, мають істотну морфологічну і структурну неоднорідність і тому сильно розсіюють світло. Встановлено, що облік розсіювання світла призводить до блакитного зрушення фундаментального краю поглинання в спектрах оптичної щільності.Досліджено і розраховано спектри показників розсіювання для плівок nc-SiC. Вивчено роль високотемпературного відпалу в модифікації структури плівок і його вплив на спектри розсіювання. Встановлено, що структурні зміни, викликані відпалом, супроводжуються зміною первісного механізму розсіювання Релея в плівках nc-SiC на механізм розсіювання Мі. | |
Ключові слова: | Розсіювання Релея та Мі, морфологічна і структурна неоднорідність, високотемпературного відпал, пропускання, відбиття і поглинання. | |
Видання: | Журнал Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №2 | | | 2014,
58 -64. ,російська |
040 Захисні покриття ВЧ p-i-n діодів і терморезистивні сенсори температури на основі плівок нанокристалічного SiC. |
Автори: | В.М Пузіков, О.В. Лопін, О.В.Семенов А.А Козловський, М.С. Болтовець, В.А. Кривуца, В.Ф. Мітін, В.В. Холевчук | |
Реферат: | Розроблені захисні nc -SiC покриття ВЧ p-i-n діодів забезпечили стабільну роботу приладу при підвищених температурах і складних кліматичних умовах. Це дозволило збільшити ресурс діодів. На основі nc -SiC плівок були розроблені мікросенсори температури для належного вимірювання температури в діапазоні 2 - 800 К в умовах різних зовнішніх впливів. | |
Ключові слова: | ВЧ p-i-n діоди, мікросенсори температури,nc -SiC плівки | |
Видання: | В книзі "Нанорозмірні системи і наноматеріали: дослідження в Україні".Ред. А. Г. Наумовця, НАН України. | | | 2014,
186 -191,російська |
Конференції, семінари, читання, на яких представлені результати проекту |
|
040 Виконавець:Інститут монокристалів, Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства, Секція фізико-технічних і математичних наук Напрям 2. Технології напівпровідникових наноструктур Мета:Розроблення науково-технічних рішень та базових нанотехнологій виготовлення високотемпературних сенсорів температури на основі наноструктурованих шарів карбіду кремнію та впровадження їх у виробництво Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: технології Етап 1:Аналіз науково-технічної літератури та розроблення науково-технічних рішень, необхідних для створення технології виготовлення сенсорів температури та радіації на основі наноструктурованих шарів високоомного карбіду кремнію Етап 2:Конструкторсько-технологічне моделювання високотемпературних сенсорів температури на основі високоомних наноструктурованих шарів карбіду кремнію товщиною 2÷5мкм на високоомній підкладинці. Вибір матеріалу підкладинки та параметрів високоомного наноструктурованого карбіду кремнію Етап 3:Розроблення ескізної конструкторської документації та технологічної схеми виготовлення високотемпературних мало інерційні сенсорів температури. Проектування та виготовлення фотошаблонів Етап 4:Оптимізація умов виготовлення та конструкторсько-технологічне моделю-вання високотемпературних мало інерційних сенсорів на основі товстих (10÷20 мкм) високотемпературних наноструктурованих шарів карбіду кремнію. Етап 5:Коректування робочих комплектів ескізної КД і ТД за результатами виготовлення та випробування зразків дослідної партії
|