Напрям 2. Технології напівпровідникових наноструктур
Мета:розроблення технологій та дослідження умов підсилення і генерації суб-терагерцового та терагерцового електромагнітного випромінювання з використанням нанорозмірних напівпровідникових гетероструктур на основі сполук нітридів групи III. Головними задачами є дослідження, розробка технології і використання для генерації ТГц випромінювання планарних та вертикальних квантових гетероструктур, зокрема, інтегрованих в резонансне середовище (резонатори, двопровідні лінії тощо), з застосуванням коротких діодних n+-і-n+ та n+-n-n+, латеральних і вертикальних нано-структур, а також більш складних каскадних діодних структур на основі GaN та AlGaN
Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: технології
Етап 1:Розробка технології виготовлення та дослідження нанорозмірних діодних структур на основі нітридів групи III з контактними системами, що забезпечують струмоперенос при великих електричних зміщеннях. Розробки системи вимірювання стаціонарних та імпульсних вольт-амперних характерис-тик. Тестування отриманих структур
Етап 2:Стаціонарні та надвисокочастотні дослідження нанорозмірних n+-i(n)-n+ GaN діодів в умовах великих прикладених напруг
Етап 3:Дослідження підсилення і генерації субтерагерцового та терагерцового випромінювання з використанням каскадних діодних структур на основі GaN та AlGaN
Етап 4:Формулювання принципів, методів та технології генерації субтерагерцового та терагерцового діапазону. Розробка принципових схем ТГц приладів на основі планарних та вертикальних нітрид-галієвих гетероструктур
Етап 5:Розробка та виготовлення макетних зразків генераторів субтерагерцового та терагерцового діапазону. Дослідження та оптимізація їх властивостей та характеристик. Розробка рекомендації щодо створення лінійки ТГц приладів на єдиної технологічної платформі з використанням наноструктур на основі нітридів групи III