Напрям 2. Технології напівпровідникових наноструктур
Мета:Розроблення фізико-технологічних основ та оптимізація нанотехнологій формування багатошарових епітаксійних структур InP n-n типу з буферними шарами, багатошарових контактних систем з антидифузійними бар’єрами та розроблення базових нанотехнологій виготовлення діодів Ганна терагерцового (90÷118 ГГц) діапазону на їх основі
Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: технології
Етап 1:Комплексні дослідження епітак¬сій¬них структур n- n -n типу на основі InP та багатошарових кон-тактних систем для діодів Ганна на основі InP тера¬гер¬цового діапа¬зону
Етап 2:Розроблення технологічних схем ви¬готовлення напівпровідникових чіпів з епітаксійних структур InP з буфер¬ни¬ми шарами та контактних систем з анти-¬дифузійними бар’єрами, приз¬начених для робочого діапазону 90÷118 ГГц
Етап 3:Розроблення базових технологіч¬них процесів виготовлення тесто¬вих структур та ескізної конструк¬торсь¬кої документації на корпуси діодів Ганна відповідно до робочого діапа¬зо¬ну частот
Етап 4:Розроблення технологічної документації, виготовлення і дослідження параметрів експериментальних зразків діодів Ганна
Етап 5:Виготовлення та випробування експериментальної партії фосфідіндієвих діодів Ганна і корегування комплекту технічної документації за результатами випробувань