3.3. Іонно-плазмові нанотехнології
Мета:Дослідження та розробка іонно-плазмової технології формування кремнієвих нанокомпозитів при введенні домішок стимулюючих самоорганізацію однакових за розмірами кремнієвих нанокристалів в діелектричних матрицях для їх використання в наноелектроніці та оптоелектроніці.
Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: технології
Етап 1:Розробка іонно-плазмової технології відтворюваного формування тонких збагачених кремнієм плівок SiOx (x<2) з різним наперед заданим вмістом надлишкового кремнію.
Етап 2:Дослідження процесів самоорганізованого формування нанокластерів Si в діелектричній матриці SiO2 в результаті високотемпературного або швидкого (RTA- rapid thermal annealing) відпалу плівок SiOx.
Етап 3:Дослідження впливу на процеси керованого самоорганізованого росту кремнію в діелектричній матриці добавок різних елементів (N, H, Al, Ni, Au, Cu та ін.) в процесі іонно-плазмового розпилення та/або способом іонної імплантації як центрів зародкоутворення та пасиваторів обірваних зв’язків на границі розділу нанокристал-діелектрична матриця.
Етап 4:Дослідження впливу розмірів нанокристалів, їх густини, параметрів границь розділу та діелектричної матриці на електрофізичні та оптичні властивості нанокомпозитних плівок SiO2(Si), що містять нанокристали Si в діелектричній матриці SiO2.
Етап 5:Розробка іонно-плазмової технології формування багатошарових наноструктур з наперед заданим положенням кремнієвих нанокристалів та їх параметрами для пристроїв наноелектроніки та оптоелектроніки.