Публікації, в яких представлені результати проекту |
069 Патент України на винахід № 99859 “Нанокомпозитний фотоконденсатор” |
Автори: | Бахтінов А.П. Водоп’янов В.М., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В., Коноплянко Д.Ю. | |
Реферат: | Винахід належить до наноелектроніки і конденсаторобудування і може бути використаний в оптоелектронних системах пам'яті, в фотоелектричних сенсорах, в перетворювачах світлової енергії, в накопичувачах електричної енергії. Нанокомпозитний фотокондансатор містить в собі фоточутливий нанокомпозитний матеріал, який являє собою напівпровідникову матрицю селеніду галію з шаруватою кристалічною структурою. Він містить в собі впорядковано розташовані вздовж гексагональної осі симетрії шаруватої кристалічної матриці масиви нанорозмірних тривимірних (3D) включень сегнетоелектрика нітрату калію. Поверхнева густина включень в базисній площині (0001) шаруватого кристалу більша ніж 10^9 см-2, а геометричні розміри не перевищують розмірів одного сегнетоелектричного домену в цьому матеріалі. Технічним результатом винаходу є підвищення питомої електричної ємності і коефіцієнта перекриття по освітленню твердотільних фотоконденсаторів в області низьких електричних частот (менших ніж 10^2 Гц). | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Бюл. № 19 | | | 2012,
,українська |
069 Патент України № 104430 “Високочастотний спіновий конденсатор” |
Автори: | Бахтінов А.П. Водоп’янов В.М., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В. | |
Реферат: | Винахід належить до наноелектроніки і конденсаторобудування і може бути використаний в сучасних електронних спінтронних напівпровідникових приладах, в яких використовуються процеси переносу і акумуляції спін-поляризованих носіїв заряду. Високочастотний спіновий конденсатор являє собою вертикальну двобар'єрну гібридну гетероструктуру, яка сформована на основі напівпровідника р-типу провідності з шаруватою кристалічною структурою, що містить в собі впорядковано розташовані нанорозмірні тривимірні (3D) сегнетоелектричні включення. Високочастотна електрична ємність пристрою обумовлена транспортом спін-поляризованих електронів, які акумулюються в області спін-селективного бар'єру структури, через систему квантових ям в нанокомпозитному матеріалі в сильних електричних полях, локалізованих в області сегнетоелектричних включень. Технічним результатом винаходу є підвищення питомої ємності електричних конденсаторів на високих (більших, ніж 1 МГц) частотах і розширення класу електронних приладів, в яких використовується акумуляція і перенос спін-поляризованих електронів при високій (кімнатній) температурі. | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Бюл. № 3 | | | 2014,
,українська |
069 Конденсаторы на основе интеркалата GaSe<KNO3> |
Автори: | Ковалюк З.Д., Коноплянко Д.Ю., Нетяга В.В., Бахтинов А.П. | |
Реферат: | Способом інтеркалювання шаруватого монокристалу GaSe у розплаві сегнетоелектричної солі KNO₃ отримано сполуку GaSe<KNO₃>. Проведено рентгенівський аналіз структури й виміряно діелектричні частотні характеристики зразків. Встановлено, що в досліджуваних зразках спостерігається накопичення електричних зарядів в області частот 100-1000 Гц. На основі отриманої сполуки виготовлено зразок фільтрового конденсатора. | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | | | 2010,
6-8,російська |
069 Электрические и топологические свойства пленок окислов, термически выращенных на подложках InSe |
Автори: | Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Хом’як В.В. | |
Реферат: | Досліджено динаміку поверхневого опору плівок In₂O₃, термічно вирощених на підкладках InSe у двох кристалографічних площинах. Встановлено, що їх опір суттєво змінюється лише на протязі перших 5 хвилин періоду окислення. Збільшення часу окислення не впливає на його еличину, але призводить до трансформації топології поерхні. На зображеннях атомно-силової мікроскопії виявлено наноструктуризацію поверхні оксиду у вигляді наноголок. Їх латеральні та вертикальні розміри, а також їх щільність залежать від температурно-часових факторів. | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | | | 2010,
6-8,російська |
069 Електричні та оптичні характеристики конденсаторів на основі нанокомпозитного матеріалу GaSe<KNO3> |
Автори: | Ковалюк З.Д., Нетяга В.В., Коноплянко Д.Ю., Бахтінов А.П. | |
Реферат: | Досліджено вплив освітлення на імпедансні спектри наноструктур GaSe<KNO3>. Встановлено,що процеси акумуляції і переносу заряду обумовлені протіканням квантово-розмірних процесів в високих електричних полях. Виявлено значне збільшення електричної ємності при освітленні конденсаторів. | |
Ключові слова: | інтеркаляція, сегнетоелектрик, конденсатор, наноструктура | |
Видання: | Восточно-Европейский журнал передовых технологий | | | 2010,
30-35,українська |
069 Surface Morphology and Electrical Resistance of the Oxide Film on InSe |
Автори: | Katerynchuk V.N., Kovalyuk Z.D. | |
Реферат: | Experimental evidence is presented that air oxidation of InSe crystals produces a native oxide layer which possesses not dielectric but conductive properties and is separated from the semiconductor substrate by a potential barrier. The surface resistance of oxide films grown on InSe across and along the C axis has been measured as a function of oxidation time and temperature. The results demonstrate that the surface resistance of the films varies significantly only during the first five minutes of oxidation. Subsequently, the surface resistance remains almost constant at 100–150 Ω/square. The surface morphology of the native oxide on InSe has been studied by atomic force microscopy. The oxide surface is shown to be nanotextured due to nanospikes normal to the substrate surface. The influence of oxidation temperature and time on the dynamics of the surface morphology of the oxide layer (the lateral dimensions, height, and density of nanospikes) is examined. | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Inorganic Materials | | | 2011,
749-752,англійська |
069 Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals |
Автори: | Katerynchuk V.N., Kovalyuk Z.D. | |
Реферат: | It has been shown that a result of InSe crystal oxidation is formation of an intrinsic oxide film that has not insulating but conductive properties. This conductive film forms a potential barrier with the semiconductor substrate. Sheet resistance measurements of the InSe oxide film in dependence on the oxidation time under various temperature conditions were carried out. The resistance was also tested for oxide films obtained for two mutually orthogonal crystal faces: perpendicular and parallel to the с axis. It has been established that the film sheet resistance is substantially changed only for 5 min of the oxidation time, and further oxidation does not affect its value that is about 100-150 Ohm/square. Surface topology of InSe intrinsic oxide was studied using the atomic-force microscopy method. It was found that this surface becomes nanostructured and contains nanoneedles oriented perpendicularly to the plane of sample surface. Dynamics of surface topology changes in dependence on temperature-time conditions of the oxidation process has been ascertained. It manifests itself in a change of lateral and vertical dimensions of nanoneedles as well as their density. | |
Ключові слова: | InSe, thermal oxidation, intrinsic oxide, sheet resistance, atomic-force microscopy, surface topology | |
Видання: | Semicond. Phys. Quantum Electron., Opoelectron | | | 2011,
106-108,англійська |
069 Морфология наноструктур, сформированных на ван-дер-ваальсовой поверхности слоистых кристаллов GaSe, отожженных в парах серы |
Автори: | Бахтинов А.П., Кудринский З., Литвин О.C. | |
Реферат: | Методом атомной силовой микроскопии исследована морфология наноструктур, которые были выращены на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) слоистых кристаллов GaSe после отжига в термодинамически равновесных условиях при высоких давлениях паров серы. Морфология и фазовый состав наноструктур определяются деформационным и химическим взаимодействием между паровой фазой и поверхностью кристалла и термодинамическими условиями отжига. Формирование элементов наноструктур в виде мелких нанокристаллитов Ga2S3, пирамидальных квантовых точек и квантовых колец происходит на дефектной ван- дер-ваальсовой поверхности (0001), которая содержит наноразмерные углубления (нанополости) и жидкий галлий.
| |
Ключові слова: | | |
Видання: | Физика твердого тела | | | 2011,
2045-2050,російська |
069 Синтез та дослідження електричних характеристик інтеркальованих калія нітратом <KNO3> моноселенідів індія і галія |
Автори: | Коноплянко Д.Ю. | |
Реферат: | | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Науковий вісник Львівського університету. Фізика | | | 2011,
43-45,українська |
069 Исследование морфологи ван-дер-ваальсовой поверхности кристалла InSe |
Автори: | Дмитриев А.И., Вишняк В.В., Лашкарев Г.В., Карбовский В.Л., Ковалюк З.Д., Бахтинов А.П. | |
Реферат: | Методами сканирующей зондовой микроскопии исследована морфология ван-дер-ваальсовой поверхно- сти (0001) слоистого монокристалла In1.03Se0.97 при разных способах ее приготовления. Предположено, что поверхность Ван-дер-Ваальса, приготовленная при помощи адгезивной ленты, окисляется на воздухе в результате хемосорбции кислотных агентов оборванными связями металла и селена. Вольт-амперные характеристики туннельного тока позволяют утверждать, что состав естественных окислов представляет собой смесь фаз оксида In2O3 и широкозонных окислов селена. Сканирование туннельным микроскопом поверхности InSe, полученной скалыванием и последующей экспозицией на воздухе в течение порядка 2 min, вызывает поверхностное упорядочение в виде гофра сложного профиля с тонкой структурой. Последнее отражает перераспределение плотности заряда после хемосорбции на ней молекул газов из воздуха и релаксации этой поверхности в состояние с минимальной энергией. На ван-дер-ваальсовой поверхности InSe (0001), полученной скалыванием в бескислородной среде, наблю- даются атомы базисной плоскости. Гофрирование поверхности отсутствует. Точечные дефекты вызывают возмущение периодического потенциала монокристалла, которое распространяется на расстояние до 4 периодов решетки и выглядит как затенение. Предложен способ получения оксидных наноструктур In2O3 на поверхности монокристалла слоистого полупроводника InSe с использованием зонда атомного силового микроскопа в качестве наноиндентора. Способность зонда работать как в газообразных, так и в жидких средах существенным образом расширяет возможности метода. | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Физика твердого тела | | | 2011,
579-589,російська |
069 Electrical properties of In2Se3 intercalated layered crystals |
Автори: | Боледзюк В.Б., Заслонкін А.В., Ковалюк З.Д., Пирля М.М. | |
Реферат: | У дiапазонi 80–400 К дослiджено електричнi властивостi, анi- зотропiю шаруватих кристалiв In2Se3, їх лiтiєвих та водне- вих iнтеркалятiв. Встановлено, що зi зростанням температури електропровiднiсть та рухливiсть вздовж шарiв зменшуються, а концентрацiя вiльних електронiв практично не змiнюється. Отримана температурна залежнiсть рухливостi електронiв по- яснена їх взаємодiєю з гомополярними оптичними фононами. Змiна електропровiдностi гiдрованих кристалiв In2Se3 залежно вiд часу вiдпалу пояснюється утворенням нових рiвнiв у за- бороненiй зонi та впливом впровадженого водню на величину деформацiйного потенцiалу кристала. Встановлене зменшення анiзотропiї для iнтеркаляту Li1,5In2Se3 порiвняно iз In2Se3 в дiапазонi температур 250–400 К пояснюється переважаючим зменшенням електропровiдностi перпендикулярно шарам над незначним зменшенням електропровiдностi вздовж шарiв. | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Український фізичний журнал | | | 2011,
378-383,англійська |
069 Investigation of InS-InSe heterojunction prepared using sulphurisation of p-InSe |
Автори: | Kovalyuk Z.D., Duplavyy V.S., Sydor O.M. | |
Реферат: | The morphology of the (0001) van der Waals surfaces of the layered single crystal In1.03Se0.97, which were prepared using different techniques, has been investigated by scanning probe microscopy methods. It has been assumed that the van der Waals surface prepared with the use of an adhesive tape oxidizes in air due to the chemisorption of acid agents on dangling bonds of the metal and selenium. An analysis of the current-voltage characteristics of the tunneling current has shown that the composition of natural oxides represents a mixture of phases of the In2O3 oxide and wide-band-gap selenium oxides. In the InSe surface prepared by cleavage with subsequent exposure in air for approximately 2 min, the scanning with a tunneling microscope has revealed a surface ordering in the form of a corrugation of a complex profile with a fine structure. The last fact reflects the charge density redistribution after the chemisorption of gas molecules from air on this surface and its relaxation to the state with a minimum energy. Atoms of the basal plane are observed on the InSe(0001) van der Waals surface prepared by cleavage in an oxygen-free medium. The surface corrugation is absent. Point defects cause a disturbance of the periodic potential of the single crystal, which extends over a distance equal to four lattice spacings and appears as a shadowing. A technique has been proposed for producing In2O3 oxide nanostructures on the surface of the single crystal of the layered semiconductor InSe with the use of an atomic-force microscope probe as a nanoindenter. The ability of the probe to operate in gaseous and liquid media significantly extends the capabilities of the method. | |
Ключові слова: | InS, InSe, heterojunction, current-voltage characteristic, annealing | |
Видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics | | | 2012,
38-40,англійська |
069 Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
Автори: | Кудринский З.Р., Ковалюк З.Д. | |
Реферат: | Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подлож-ках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеро¬переходы n-ZnSe-p-GaSe и n-ZnSe-p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Способ открывает широкие возможности изготовления гетероструктур с задан ной полосой чувствительности. | |
Ключові слова: | cлоистые кристаллы, гетеропереходы, отжиг, спектральные характеристики, вольт- фарадные характеристики | |
Видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | | | 2012,
40-43,російська |
069 Diffraction Properties of the Nanostructured Surface |
Автори: | Katerynchuk V.M., Kovalyuk Z.D., Savchuk A.I. | |
Реферат: | The photosensitive In2O3-p-InSe heterostructures in which the In2O3 frontal layer has a nanostructured surface were investigated. The photoresponse spectra of such heterostructures are found to be essentially dependent on surface topology of the oxide. The obtained results indicate that the In2O3 oxide is not only the active component of the structure but also acts as a diffraction cellular element. The oxide surface topology was investigated by means of the atomic-force microscope technique. It was established that the surface topology is caused by the technological conditions of growing In2O3 oxides. Under different conditions of oxidation the sample surfaces had contained nanoformations preferably in the form of nanoneedles. Their location has both a disordered and ordered character. The sizes, form and density of the nanoneedles are different, too. A dimensional optical effect in the oxide was found to be due to the anisotropic light absorption in InSe. The higher deviation of incident light from its normal direction due to a nanostructured surface is the higher variation in the generation of carriers in the semiconductor is. These changes consist in the energy broadening of the heterostructure photoresponse spectrum as well in peculiarities of the excitonic line. The higher density and ordering of the nanoneedles on the oxide surface is the higher long-wave shift and more intensive excitonic peak in spectrum takes place. | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Journal of Nanoscience and Nanotechnology | | | 2012,
6844(1)-6844(4),англійська |
069 Photoelectric properties of In2O3–InSe heterostructures with nanostructured oxide |
Автори: | Katerynchuk V.M., Kudrynskyi Z.R. | |
Реферат: | The photosensitive In2O3-p-InSe heterostructures, in which the In2O3 frontal layer has a nanostructured surface, have been investigated. The photoresponse spectra of these heterostructures have been found as essentially dependent on surface topology of oxide. The obtained results indicate that In2O3 oxide is not only an active component of the structure but also acts as a diffraction cell element. Oxide surface topology was investigated using the atomic-force microscope technique. Under different conditions of InSe oxidation, the sample surfaces contained nanoformations preferably in the form of nano-islands. Their location acquired both disordered and ordered characters. A dimensional optical effect in the oxide layer was found to be due to the anisotropic light absorption in InSe. The higher deviation of incident light from its normal direction due to a nanostructured surface is, the higher variation in generation of carriers in this semiconductor is. These changes consist in the energy broadening of the heterostructure photoresponse spectrum as well as in peculiarities of the excitonic line. The higher density and ordering of the nanoneedles on the oxide surface is, the higher long-wave shift and more intense excitonic peak in spectrum takes place. | |
Ключові слова: | InSe, In2O3, heterostructure, photoelectric properties, atomic-force microscopy, nanostructured surface | |
Видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics | | | 2012,
214-217,англійська |
069 Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0<=x<=1) та гетеропереходи на їх основі |
Автори: | Катеринчук В.М., Кудринський З.Р., Ковалюк З.Д. | |
Реферат: | На вирощених шаруватих кристалах p-InSe і n-SnS2-xSex при допомозі атомно-силового мікроскопа проведені дослідження поверхні цих матеріалів. Методом оптичного контакту створено гетероперехо- ди p-InSe–n-SnS2-xSex і досліджені їх спектральні та вольт-амперні характеристики. | |
Ключові слова: | aтомно-силова мікроскопія, шаруваті кристали, гетеропереходи, спектральні харак- теристики, вольт-амперні-характеристики.
| |
Видання: | Журнал нано- та електронної фізики | | | 2012,
02042(1)-02042(4),українська |
069 X-Ray Diffractometry and Raman Spectroscopy Investigation or Irradiated Layered III-VI Crystals |
Автори: | Kovalyuk Z.D., Sydor O.M., Sydor O.A., Tkachenko V.G., Maksemchuk I.N., Dubinko V.I., Ostapchuk P.M. | |
Реферат: | The present results of investigations of the influence of irradiation on layered n-InSe, p-InSe, and p-GaSe semiconductors. Two types of irradiation are considered: (1) the bremsstrahlung gamma-quanta with effective energy of 3MeV and the irradiation dose ranging from 0.14 to 140 kGy and (2) 12 MeV electron irradiation up to the dose ranging from 3.3 to 33 MGy. The crystal structure, lattice parameters, and atom coordination environment were investigated by means of X-ray structure analysis and Raman spectra measurements. It is shown that all samples under investigation have high structural perfection. It is shown that even the maximum dose levels of -quanta and electrons did not caused qualitative changes in the investigated spectra, which indicates that the influence of the irradiation on the subsystems of vacancies and impurities in InSe and GaSe is insignificant. Possible physical phenomena occurring in the layered crystals subjected to irradiation are described. It is suggested tentatively that the dopant atoms of Cd in p-InSe are the centers for localization of radiation-induced vacancies, whereas in the intentionally undoped crystals, the vacancies are localized in the sublattices of In or Ga. These results enable one to consider layered semiconductors as potential candidates for preparation of radiation-resistant photoconverters or detectors of high-energy particles. | |
Ключові слова: | layered crystal, gamma-irradiation, electron irradiation, Raman spectra, X-Ray diffraction | |
Видання: | Journal of Materials Science and Enginttring A | | | 2012,
537-543,англійська |
069 Influence of impurity doping and gamma-irradiation on the optical properties of layered GaSe crystals |
Автори: | Zhirko Yu.I., Skubenko N.A., Dubinko V.I., Kovalyuk Z.D., Sydor O.M. | |
Реферат: | Presented in this paper are the results of electron-microscopic (SEM, EDS) and low-temperature (Т = 4.5 K) photoluminescence (PL) and absorption investigations of layered GaSe crystals, both non-doped and doped with Zn, Cd and Sn impurities taken in the concentration 0.01 wt%. The crystals were exposed to gamma-irradiation with energies 0 to 34 MeV and doses up to 1014 γ/cm2 . SEM investigations did not reveal any structural changes at the crystal surface after gamma-irradiation with the investigated doses. PL investigations enabled the discovery that doping GaSe crystals with Zn or irradiation of non-doped crystals with gamma-quanta results in decreased amounts of intrinsic defects (according to Schottky and Frenkel, respectively) in these crystals. As a consequence, an essential increase in the parameter S0 (the integrated intensity of PL) was observed with increasing doses of gamma-irradiation. In contrast, doping with Sn impurities resulted in a sharp drop in S0 that began to increase after irradiation with gamma-quanta. It has been shown that gamma-irradiation of GaSe crystals doped with Cd results in the appearance of wide bands in the PL and absorption spectra, caused by transitions of carriers between direct and indirect conduction bands and deep acceptor levels, as well as by transitions of the donor-acceptor type. The types of transitions, energies of acceptor levels (25, 70, 150, 310, 460 meV) relative to the top of valence band and the energy of the donor level (165 meV) relative to the bottom of the conduction band, as well as Huang-Rys factors and the energies of lattice phonons taking part in these transitions were determined. | |
Ключові слова: | GaSe, layered crystals, gamma-quantum, semiconductor sensor | |
Видання: | J. Mater. Sci. and Engineering: B | | | 2012,
91-102,англійська |
069 Характеристики фотодиодов со структурой “Собственный оксид-InSe”, облученных высокоэнергетическими электронами |
Автори: | Сидор О.Н., Сидор О.А., Ковалюк З.Д., Дубинко В.И. | |
Реферат: | Досліджено вплив електронів з ефективною енергією 12 МеВ в діапазоні доз 0,33—33 Мрад на електричні та фотоелектричні властивості фотодіодів зі структурою «власний оксид — InSe». Встановлено, що мінімальна доза опромінення покращує їх основні параметри, а максимальна — незначно знижує струм короткого замикання і фоточутливість приладів. При цьому спостерігається зростання вольт-ватної чутливості і мінімальне збільшення коефіцієнта неідеальності вольт-амперної характеристики.
| |
Ключові слова: | cлоистые кристаллы, селенид индия, фотодиод, высокоэнергетические электроны, радиационные дефекты | |
Видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | | | 2012,
29-31,російська |
069 Размерный оптический эффект в наноструктурированных пленках In2O3 |
Автори: | Катеринчук В.Н., Кудринский З.P. | |
Реферат: | Размерный оптический эффект в поверхностно-наноструктурированных пленках In2O3 выявлен благодаря исследованиям фотоэлектрических свойств гетероструктур In2O3−p-InSe с анизотропной подложкой. При изготовлении таких структур поверхность собственного окисла структуриpуется в ансамбль наноигл, топология которых зависит от времени формирования структур. Особенности выступов поверхности окисла исследованы с помощью изображений в атомно-силовом микроскопе. Установлена прямая зависимость между топологией поверхности и структурой спектров фотоответа гетероструктур. Чем выше плотность, высота и упорядочение наноигл на поверхности окисла, тем заметнее длинноволновый сдвиг и интенсивнее проявление краевого пика в спектрах фотоответа. Все изменения спектров интерпретируются на основе модели взаимодействия света с наноразмерной ячеистой поверхностью окисла, которая приводит к сильной дифракции лучей. | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Физика и техника полупроводников | | | 2013,
320-323,російська |
069 Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на Ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe |
Автори: | Кудринський З.P. | |
Реферат: | Методом магнетронного распыления получены тонкие пленки CdO на ван-дер-ваальсовых поверхностях слоистых кристаллов InSe и GaSe. Структура пленок исследована методом рент- геноструктурного анализа. С помощью атомно-силовой микроскопии проведено исследование топологии поверхности полученных пленок. Установлено, что их поверхность является нано- структурированной, однако характер наращивания пленок на подложках InSe и GaSe отличается. На InSe наблюдаются нанообразования в виде отдельных холмов и их скоплений. Плотность таких нанообразований составляет ∼2,25⋅1010 см–2. Особенностью поверхностной топологии пленок CdO на GaSe является то, что нанообразования размещены равномерно и имеют куполо- образный вид, причемсклонность к образованию скоплений у них отсутствует. Оценка плотности такого типа нанообразований показывает, что она составляет ∼6,4⋅109 см–2. | |
Ключові слова: | тонкие оксидные пленки, слоистые кристаллы, топология поверхности, атомно-силовая микроскопия | |
Видання: | Фізична інженерія поверхні | | | 2013,
185-190,українська |
069 Fabrication and characterisation of photosensitive n-CdO-p-InSe heterojunctions |
Автори: | Kudrynskyi Z.R., Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Khomyak V.V., Orletcky I.G., Netyaga V.V. | |
Реферат: | Photosensitive n-СdO/p-InSe heterojunctions were developed and studied for the first time. The hetero- junctions were fabricated by dc reactive magnetron sputtering of CdO thin films onto the freshly cleaved p-InSe single-crystal substrates (0 0 1). Surface morphology of the obtained films was studied by means of atomic force microscopy. From the X-ray diffraction result, it is shown that the CdO film is polycrystalline with cubic structure. The mechanisms of current transport through the space-charge region under forward and back biases were estab¬lished by investigation of temperature dependences of the I-V characteristics. The main photoelectric parameters and the photosensitivity spectra were measured at room temperature. | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Acta Phys. Polonica A | | | 2013,
720-723,англійська |
069 Tuning the bandgap of exfoliated InSe nanosheets by quantum confinement |
Автори: | Mudd G.W., Svatek S.A., Ren T.M., Patane A., Makarovsky O., Eaves L., Beton P.H., Kovalyuk Z.D., Lashkarev V.G., Kudrynskyi Z.R., Dmitriev A.I. | |
Реферат: | Strong quantization effects and tuneable near-infrared photoluminescence emission are reported in mechanically exfoliated crystals of γ-rhombohedral semiconducting InSe. The optical properties of InSe nanosheets differ qualitatively from those reported recently for exfoliated transition metal dichalcogenides and indicate a crossover from a direct to an indirect band gap semiconductor when the InSe flake thickness is reduced to a few nanometers. | |
Ключові слова: | indium selenide, two-dimensional systems, dichalcogenides, atomic force microscopy, micro-photoluminescence | |
Видання: | Advanced Materials | | | 2013,
1714-1718,англійська |
069 Нанокомпозитний матеріал на основі шаруватих кристалів GaSe та InSe, інтеркальованих сегнетоелектриком RbNO3 |
Автори: | Кудринський З.P., Нетяга В.В. | |
Реферат: | У даній роботі вперше встановлено, що монокристалічні зразки моноселенідів галію GaSe та індію InSe можуть бути інтеркальовані молекулами сегнетоелектричної солі нітрату рубідію RbNO3. Досліджено кінетику процесу інтеркаляції в різних температурно-часових режимах. Методом рентгеноструктурного аналізу досліджено структурні властивості інтеркалатних нанокомпозитів. Досліджувані структури можна представити як композиційні надґратки, які складаються з ґратки анізотропного шаруватого напівпровідника з вбудованими в неї шарами сегнетоелектрика. Встановлено, що нанокомпозитний матеріал GaSe<RbNO3> володіє властивостями накопичення електричної енергії. Енергонакопичувальні властивості пов’язуються з поляризацією інтеркальованого сегнетоелектрика під дією зовнішнього електричного поля. На основі нанокомпозитного матеріалу GaSe<RbNO3> створено твердотільний накопичувач електричної енергії. | |
Ключові слова: | нанокомпозитні матеріали, шаруваті кристали, сегнетоелектрик, інтеркаляція, cеленід галію, cеленід індію
| |
Видання: | Журнал нано- та електронної фізики | | | 2013,
03028-03035,українська |
069 Фоточутливі гетероструктури n-In2O3 /p-InSe з наноструктуризованою плівкою поверхневого фронтального шару |
Автори: | Ковалюк З.Д., Кудринский З.Р., Катеринчук В.Н, Литвин О.C. | |
Реферат: | Досліджені фоточутливі гетеропереходи n-In2O3 / p-InSe, в яких фронтальний шар In2O3 є наност- руктурованим. Виявлено, що спектри фоточутливості таких гетеропереходи істотно залежать від по- верхневої топології оксиду. Це свідчить про те, що оксид в парі з напівпровідниковою підкладкою віді- грає не лише роль активної компоненти структури, але і одночасно служить комірчастим дифракцій- ним елементом. Поверхнева топологія оксиду досліджувалася за допомогою атомно-силового мікрос- копа. За різних умов окислення InSe поверхня зразків містила наноформування переважно у формі наноголок. Їх структура мала як невпорядкований, так і впорядкований характер. Оптичний розмір- ний ефект в плівці оксиду виявлений завдяки поєднанню властивостей наноструктуризованої повер- хні In2O3 і анізотропного поглинання світла в InSe. Чим вище відхилення падаючого світла від його нормального напрямку, викликане наноструктурованою поверхнею оксиду, тим більші зміни у фото- генерації носіїв в анізотропному напівпровіднику. Ці зміни полягали в розширенні смуги фотовідгу- ку, а також в особливостях поведінки екситонної лінії в спектрі гетеропереходу. Чим вище густина і впорядкування наноголок, тим більше довгохвильовий зсув смуги фотовідгуку і інтенсивніший екси- тонний пік в спектрі. | |
Ключові слова: | гетеропереходи, шаруваті кристали, наноструктури, атомно-силова мікроскопія, оксидні плівки | |
Видання: | Журнал нано- та електронної фізики | | | 2013,
030271-03274,українська |
069 Температурна динаміка спектрів поляризаційної чутливості гетеропереходів власний оксид-InSe |
Автори: | Катеринчук В.Н., Кудринський З.Р., Ковалюк З.Д. | |
Реферат: | Досліджено температурну залежність коефіцієнта фотоплеохроїзму для гетеропереходу власний оксид–p-InSe. Зареєстровано різну температурну залежність зсуву довгохвильового краю фотоструму для двох орієнтацій поляризації: Е||С і Е_|_С. | |
Ключові слова: | гетероперехід власний оксид–p-InSe, анізотропія, коефіцієнт фотоплеохроїзму | |
Видання: | Сенсорна електроніка і мікросистемні технології | | | 2013,
92-96,українська |
069 Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe |
Автори: | Мінтянський І.В., Савицький П.І., Ковалюк З.Д. | |
Реферат: | В температурній області 80 ÷ 400 К досліджено електричні властивості кристалів селеніду індію InSe, опромінених електронами з енергією 9,2 МеВ. Спостережені екстремуми на температурних залежностях коефіцієнта Холла та холлівської рухливості електронів вздовж шарів пояснені в рамках моделі, яка передбачає змішану провідність по зоні провідності та домішковій зоні, утвореній донорними центрами. Модельні обчислення, що враховують перерозподіл носіїв між зонами, добре відтворюють експериментальні дані. Аналіз температурноїзміни хімпотенціалу та обрахунки в моделі частково компенсованого донорного рівня додатково підтверджують існування домішкової зони, ширина якої становить 6-8 меВ. Висока рухливість носіїв в ній зумовлена делокалізованим характером провідності.
| |
Ключові слова: | cеленід індію, електронне опромінення, змішана провідність, ефект Холла, рухливість, домішкова зона | |
Видання: | Фізична інженерія поверхні | | | 2013,
326-377,українська |
069 Оптичні та електричні властивості шаруватих кристалів InSe і GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом |
Автори: | Боледзюк В.Б. Ковалюк З.Д., Пирля М.М., Барбуца С.Г. | |
Реферат: | Дослiджено структурнi, оптичнi та електричнi властивостi монокристалiв InSe та GaSe, дифузiйно iнтеркальованих молекулами етилового спирту. Рентгено- структурним аналiзом пiдтверджено впровадження молекул спирту в мiжшаровий простiр дослiджуваних зразкiв. Встановлено немонотоннi залежностi енергетичного положення основного екситонного максимуму та пiвширини екситонної смуги погли- нання вiд часу витримки монокристалiв InSe та GaSe в етиловому спиртi. Отрима- но температурнi залежностi електропровiдностi, концентрацiї та рухливостi вiль- них електронiв вздовж шарiв зразкiв InSe. Змiна електропровiдностi iнтеркальованих спиртом монокристалiв InSe залежно вiд часу витримки в спиртi пояснюється утво- ренням нових рiвнiв у забороненiй зонi та впливом iнтеркалювання молекул спирту на деформацiйний потенцiал кристала. | |
Ключові слова: | InSe, GaSe, iнтеркалювання | |
Видання: | Український фізичний журнал | | | 2013,
859-864,українська |
069 Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходах n-CdO−p-InSe |
Автори: | Катеринчук В.Н., Кудринский З.Р., Хомяк В.В. Орлецкий И.Г., Нетяга В.В. | |
Реферат: | Впервые изготовлены анизотипные гетеропереходы n-CdO-p-InSe на основе слоистых кристаллов InSe. Исследованы температурные зависимости вольт-амперных характеристик гетеропереходов и определены механизмы токопрохождения через барьер при прямом и обратном смещениях. Установлена область их фоточувствительности. | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Физика и техника полупроводников | | | 2013,
935-938,російська |
069 Optical properties of layered GaSe and InSe crystals intercalated with hydrogen containing of toluene, water and alcohol. Comparative Study. |
Автори: | Zhirko Yu.I., Skubenko N.A., Kovalyuk Z.D. | |
Реферат: | Performed in this work are comparative study of low-temperature (T = 4.5 K) photoluminescence spectra of p-GaSe and n-InSe crystals intercalated with hydrogen containing molecules (HCM) of toluene, water and alcohol. It has been shown that intercalation with HCM influences differently the optical properties of these crystals. On the whole, intercalation with HCM and increasing the time of this process worse optical properties of p-GaSe crystals and improve optical properties of n-InSe crystals. But intercalation with HCM does not lead to essential changes in the integrated intensity of emission lines and bands related with radiative recombination of excitons and free carriers in GaSe and InSe crystals. The considered in the discussion part the simplest defects of n- and p-types allows to explain differences in optical behavior of p-GaSe and n-InSe crystals treated using intercalation with HCM containing chemical compounds of carbon, hydrogen and hydroxyl group.
| |
Ключові слова: | GaSe, InSe, Photoluminescence, Intercalation, H2O, C7H8, C2H5OH
| |
Видання: | Materials and processes for energy: communicating current and technological developments (A. Mendez-Vilas, Ed): in Energi Book Series-№. 1 | | | 2013,
895-902,англійська |
069 Анизотропия спектров фотоотклика гетеропереходов на основе слоистых кристаллов GaSe и InSe |
Автори: | Катеринчук В.Н. Кудринский З.Р., Ковалюк З.Д. | |
Реферат: | На сформированных гетеропереходах в плоскости торца от поверхности скола анизотропных кристаллов
GaSe и InSe исследованы их спектры фотоотклика. Проведено сравнение этих спектров на естественных и химически обработанных гранях кристаллов. Предложен модифицированный способ выращивания кристаллов GaSe с естественным торцом слоев и методом атомно-силовой микроскопии исследована их поверхность. | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Журнал технической физики | | | 2014,
99-102,російська |
069 Structure of oxidized and unoxidized end faces of GaSe layered crystals |
Автори: | Катеринчук В.Н. Кудринский З.Р., Ковалюк З.Д. | |
Реферат: | The surface topology and structure of unoxidized and oxidized end faces of a GaSe crystal have been studied by atomic force microscopy and X-ray diffraction. The largest deviation of the unoxidized end face of the GaSe crystal was within ≃2 nm, indicating high surface quality. The thermal oxidation of the GaSe crystal in air at a temperature of 600°C for 4 h was shown to influence the topology of its end face. Its structure resembled a set of small-angle cones with a density of ≃4 × 109 cm−2. Oxidation led to the formation of two chemical phases in the near-surface region: Ga2Se3 and Ga2O3. | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Inorganic Materials | | | 2014,
339-343,англійська |
069 Коеффициент фотоплеохроизма и его температурная динамика в гетеро переходах собственный оксид–p-InSe |
Автори: | Катеринчук В.Н., Кудринский З.Р., Ковалюк З.Д. | |
Реферат: | Исследована температурная зависимость коэффициента фотоплеохроизма для гетероперехода собственный оксид–p-InSe. Зарегистрирована разная температурная зависимость сдвига длинноволнового края фототока для двух ориентаций поляризации E || C и E _|_ C | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Физика и техника полупроводников | | | 2014,
797-800,російська |
069 Фоточувствительные анизотипные гетеропереходы n-ZnSe/p-InSe и n-ZnSe/p-GaSe |
Автори: | Кудринський З.Р, Ковалюк З.Д. | |
Реферат: | Впервые получены анизотипные гетеропереходы n-ZnSe/p-GaSe и n-ZnSe/p-InSe. Гетеропереходы были изготовлены на подложках из слоистых кристаллов GaSe и InSe путем отжига в парах Zn. Установлено, что полученные гетеропереходы являются фоточувствительными в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. | |
Ключові слова: | | |
Видання: | Журнал технической физики | | | 2014,
102-105,російська |
069 Room temperature electroluminescence from mechanically-formed van-der Waals III-VI homo-junctions and heterojunctions |
Автори: | Balakrishman N., Kudrynskyi Z.R., Fay M., Mudd G., Svatek S., Makarovsky O., Kovalyuk Z.D. Eaves L., Beton P., Patane A. | |
Реферат: | Room temperature electroluminescence from semiconductor junctions is demonstrated. The junctions are fabricated by the exfoliation and direct mechanical adhesion of InSe and GaSe van der Waals layered crystals. Homojunction diodes formed from layers of p- and n-type InSe exhibit electroluminescence at energies close to the bandgap energy of InSe (Eg = 1.26 eV). In contrast, heterojunction diodes formed by combining layers of p-type GaSe and n-type InSe emit photons at lower energies, which is attributed to the generation of spatially indirect excitons and a staggered valence band lineup for the holes at the GaSe/InSe interface. These results demonstrate the technological potential of mechanically formed heterojunctions and homojunctions of direct-bandgap layered GaSe and InSe compounds with an optical response over an extended wavelength range, from the near-infrared to the visible spectrum. | |
Ключові слова: | metal chalcogenides, electroluminescence, van der Waals crystals, homojunctions, heterojunctions | |
Видання: | Advanced Optical Materials | | | 2014,
1064-1069,англійська |
Конференції, семінари, читання, на яких представлені результати проекту |
069 069 069 069 069 069 069 069 069 069 069 069 069 069 069 069 069
|
069 3.1. Багатофункціональні наноматеріали Мета:Встановлення особливостей формування нанооб’єктів на поверхні шаруватих напівпровідників А3В6, створення наноструктур "шаруватий кристал-сегнетоелектрик" інтеркаляційним методом, дослідження впливу технологічних чинників на динаміку наноутворень. Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: технології Етап 1:Вирощування шаруватих напівпровідників А3В6 та створення нанооб’єктів на їх поверхні Етап 2:Розробка технології отримання наноутворень на поверхні шаруватих кристалів А3В6 їх окисленням на повітрі, методом відпалу в парах сірки та створення в ван-дер-ваальсових щілинах нанорозмірних сегнетоелектричних фаз. Етап 3:Дослідження структурних, електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей шаруватих напівпровідників і нарощених на них нових квантово-розмірних нанооб’єктів різної термодинамічної рівноважної форми. Етап 4:Виготовлення гетеропереходів на основі шаруватих кристалів з використанням різних методик формування потенціального бар’єра. Етап 5:Дослідження дії високоенергетичного випромінювання на властивості плівок і гетеросруктур
|