3.3. Ion-plasma nanotechnology
Purpose:
Expected results:Release of new product: technology
Stage 1:Розробка іонно-плазмової технології відтворюваного формування тонких збагачених кремнієм плівок SiOx (x<2) з різним наперед заданим вмістом надлишкового кремнію.
Stage 2:Дослідження процесів самоорганізованого формування нанокластерів Si в діелектричній матриці SiO2 в результаті високотемпературного або швидкого (RTA- rapid thermal annealing) відпалу плівок SiOx.
Stage 3:Дослідження впливу на процеси керованого самоорганізованого росту кремнію в діелектричній матриці добавок різних елементів (N, H, Al, Ni, Au, Cu та ін.) в процесі іонно-плазмового розпилення та/або способом іонної імплантації як центрів зародкоутворення та пасиваторів обірваних зв’язків на границі розділу нанокристал-діелектрична матриця.
Stage 4:Дослідження впливу розмірів нанокристалів, їх густини, параметрів границь розділу та діелектричної матриці на електрофізичні та оптичні властивості нанокомпозитних плівок SiO2(Si), що містять нанокристали Si в діелектричній матриці SiO2.
Stage 5:Розробка іонно-плазмової технології формування багатошарових наноструктур з наперед заданим положенням кремнієвих нанокристалів та їх параметрами для пристроїв наноелектроніки та оптоелектроніки.