1.2. Physics of semiconductor nanostructures
Purpose:
Expected results:Issue of new types of products: Appliances
Stage 1:Визначення фізичних основ взаємодії ТГц випромінювання з кремнієвими МОН та КРТ МДН нанотранзисторами та їх стикування з інтегральними схемами зчитування інформації
Stage 2:Математичне моделювання роботи кремнієвих МОН та КРТ МДН нанотранзисторів під дією ТГц випромінювання та визначення електричних характеристик вхідних пристроїв інтегральних схем зчитування інформації
Stage 3:Розробка конструкції та топології багатоелементних кремнієвих МОН та КРТ МДН нанотранзисторів та інтегральних схем зчитування інформації з них
Stage 4:Виготовлення експериментальних зразків багатоелементних кремнієвих МОН та КРТ МДН нанотранзисторів та інтегральних схем зчитування інформації з них
Stage 5:Дослідження властивостей розроблених багатоелементних кремнієвих МОН та КРТ МДН нанотранзисторів та інтегральних схем зчитування інформації з них