Напрям 2. Технології напівпровідникових наноструктур
Мета:Розробка базових плазмових низькотемпературних технологій виготовлення наноструктурованих шарів нітридів алюмінію та бору для силової, високотемпературної, високочастотної та радіаційно стійкої електроніки з метою захисту поверхні активних елементів НВЧ приладів
Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: технології
Етап 1:Розробка та модернізація технологічного устаткування для низькотемпературного плазмового осадження наноструктурованих шарів BN та AlN методами магнетронного розпилення та плазмохімічного осадження
Етап 2:Виготовлення експериментальних зразків наноструктурованих шарів BN та AlN на різних підкладках. Комплексні дослідження фізико-хімічних властивостей отриманих захисних покриттів на кремнієвих підкладках
Етап 3:Оптимізація технологічних режимів низькотемпературного плазмово-хімічного осадження наноструктурованих шарів BN та AlN методами магнетронного розпилення та плазмохімічного осадження. Відпрацювання технологічних процесів, розробка методики дослідження та випробувань експериментальних зразків
Етап 4:Виготовлення експериментальної партії НВЧ елементів з захищеною поверхнею. Дослідження стабільності їх параметрів при стендових випробуваннях, включаючи стабільність їх параметрів при підвищених температурах та вологості. Розробка технічних вимог до активних елементів за розділом «стабільність параметрів»
Етап 5:Виготовлення та випробування дослідної партії НВЧ приладів з поверхнею, захищеною розробленими наноструктурованими шарами BN та AlN. Коригування технологічного маршруту низькотемпературного плазмового осадження наноструктурованих шарів BN та AlN. Виготовлення тестових зразків приладів з шарами BN та AlN та проведення їх випробувань