Виконавець:Інститут монокристалів, Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства, Секція фізико-технічних і математичних наук
Напрям 2. Технології напівпровідникових наноструктур
Мета:Відпрацювання технологічних процесів формування на основі високоомних шарів нанокристалічного карбіду кремнію захисних покриттів на поверхні меза-структури потужних кремнієвих високовольтних НВЧ ріn діодів з метою забезпечення їх високої надійності
Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: технології
Етап 1:Оптимізація технології формування наноструктурованих високоомних захисних покриттів з карбіду кремнію товщиною 1÷3 мкм на поверхні високоомного кремнію та комплексні дослідження електрофізичних характеристик гетероструктур наноструктурований карбід кремнія-кремній
Етап 2:Відпрацювання базових техпроцесів формування меза-структур з захисним покриттям. Виготовлення та дослідження параметрів меза-структур кремнієвих високовольтних НВЧ ріn діодів з захищеною поверхнею в умовах впливу кліматичних факторів (вологості, температури) та тривалої експлуатації при підвищених температурах
Етап 3:Виготовлення та дослідження експериментальних зразків кремнієвих високовольтних НВЧ ріn діодів з захисним покриттям. Дослідження параметрів ВАХ меза-структур кремнієвих високовольтних НВЧ ріn діодів з захищеною поверхнею в умовах впливу вологості
Етап 4:Розроблення ескізної конструкторської документації на кремнієві високовольтні НВЧ ріn діоди з захисним покриттям Виготовлення та випробування в умовах промислового виробництва профільного підприємства Мінпрополітики України дослідної партії параметричного ряду кремнієвих високовольтних НВЧ ріn діодів з захисним покриттям
Етап 5:Коректування робочих комплектів ескізної КД і ТД та оптимізація умов виготовлення за результатами випробування зразків дослідної партії. Виготовлення та випробування дослідних зразків в апаратурі потенційних замовників