Напрям 2. Технології напівпровідникових наноструктур
Мета:Розробка фізико-технологічних основ і оптимізація технології формування багатошарових епітаксійних структур А3В5 з буферними шарами і багатошарових контактних систем з антидифузійними бар’єрами, розробка технологічних схем виготовлення активних елементів з міждолинним переносом носіїв заряду для джерел випромінювання в терагерцовому (90÷118 ГГц) діапазоні на їх основі
Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: технології
Етап 1:Аналіз механізмів міждолинного переносу носіїв заряду в епітаксійних структурах з метою визначення вимог до параметрів епітаксійних шарів з бар´єрними наноструктурованими шарами, призначених для виготовлення активних елементів джерел НВЧ-випромінювання в діапазоні частот 90÷118 ГГц
Етап 2:Розроблення та комплексні дослідження високостабільних контактних систем з наноструктурованим антидифузійним шаром для активних елементів джерел НВЧ-випромінювання в терагерцовому діапазоні на основі тринітридів
Етап 3:Виготовлення та дослідження параметрів макетних зразків активних елементів на основі тринітридів
Етап 4:Розробка технологічних схем виготовлення активних елементів з міждолинним переносом носіїв заряду для джерел НВЧ-випромінювання в терагерцовому діапазоні
Етап 5:Відпрацювання техпроцесів виготовлення та дослідження експериментальних зразків активних елементів джерел НВЧ-випромінювання для діапазону частот 100÷118 ГГц