Напрям 2. Технології напівпровідникових наноструктур
Мета:Основною метою проекту є створення та дослідження нанорозмірних наноструктурованих і нанокомпозиційних гетороструктур Ge-GaAs, Ge-Si, SixGe1-x-GaAs, та (Ge2)xGaAs1-x-GaAs з новими багатофункціональними властивостями та розроблення на їх основі електронних приладів нового покоління
Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: технології
Етап 1:Розроблення технологій мікрообробки і нанопрофілювання напівпровідників, отримання та дослідження нанорозмірних плівок Ge на GaAs
Етап 2:Фізико-технологічні дослідження нанорозмірних плівок Ge на GaAs та розроблення і дослідження гетеродіодів Ge/GaAs з нанорозмірним сильно компенсованим Ge шаром
Етап 3:Фізико-технологічні дослідження фізичних явищ, композиційних і морфологічних нанонеоднорідностей та механізмів росту і структурної релаксації в нанорозмірних плівках Ge на GaAs
Етап 4:Розроблення нових мікро- і наносенсорів температури та гетеродіодів з новими властивостями
Етап 5:Виготовлення, дослідження та іспити нових приладів