Напрям 2. Технології напівпровідникових наноструктур
Мета:Створення сучасної експериментальної науково-технологічної інфраструктури нового рівня для технології вирощування і діагностики структурних компонент і приладів наноелектроніки та оптоелектроніки
Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: технології
Етап 1:Розробка технології і оптимізація ростових параметрів для отримання структурно досконалих нітридних епітаксійних шарів методом газової епітаксії із металорганічних сполук
Етап 2:Розробка технології виготовлення радіаційно-стійких і термостабільних омічних і бар’єрних контактних систем для наноелектронних приладів на основі групи тринітридів
Етап 3:Оптимізація технологічних процесів виготовлення компонентів наноелектронних приладів
Етап 4:Проведення тестових технологічних процесів вирощування нітридних епітаксійних шарів
Етап 5:Створення макету мікрохвильового діоду міліметрового діапазону довжин хвиль на основі нітридів III групи