Напрям 2. Технології напівпровідникових наноструктур
Мета:Проведення комплексу робіт по дослідженню та розробці ефективних методів інтерференційної нанолітографії (включаючи імерсійну) з використанням високороздільних халькогенідних фоторезистів, та застосування їх для формування оптичних, оптоелектронних, електронних періодичних наноструктур з просторовими частотами до 8000 мм-1, зокрема високочастотних рельєфно-фазових граток, елементів вводу-виводу випромінювання, сенсорних структур, електронно-емісійних структур та ін.
Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: матеріалів
Етап 1:Оптимізація процесів вакуумного нанесення халькогенідних резистів та дослідження фотостимульованих змін їх розчинності. Розробка високоефективних селективних травників
Етап 2:Дослідження та оптимізація процесів інтерференційного експонування неорганічних фоторезистів з використанням імерсії
Етап 3:Розробка та дослідження інтерференційної фотолітографії напівпровідникових пластин
Етап 4:Розробка та дослідження рідинної імерсійної фотолітографії на основі халькогенідних фоторезистів
Етап 5:Розробка та дослідження твердофазної імерсійної фотолітографії на основі халькогенідних фоторезистів. Підготовка заключного звіту