Публікації, в яких представлені результати проекту |
007 Латеральный транспорт и дальнее инфракрасное излучение электронов в гетероструктурах InxGa1−xAs/GaAs с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильном электрическом поле |
Автори: | Н.В. Байдусь, П.А. Белевский, А.А. Бирюков, В.В. Вайнберг, М.Н.Винославский, А.В. Иконников, Б.Н.Звонков,А.С.Пилипчук, В.Н.Порошин | |
Реферат: | Показано, что дальнее инфракрасное излучение электронов в селективно-легированных гетероструктурах с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильных латеральных электрических полях существенно зависит от степени легирования ям. При большой концентрации примеси в узкой яме, более (1−2) 1011 см−2 , излучение обусловлено только непрямыми внутриподзонными переходами электронов. При меньшей концентрации наряду с непрямыми переходами вклад в излучение дают и прямые межподзонные переходы, которые становятся возможными в сильных электрических полях вследствие пространственного переноса электронов между квантовыми ямами. | |
Ключові слова: | Гетероструктури, квантові ями, латеральний транспорт, гарячі електрони, інфрачервоне випромінювання | |
Видання: | Физика и Техника Полупроводников | | | 2010,
4,російська |
007 Транспортные свойства гетероструктур InGaAs/GaAs с дельта-легированными квантовыми ямами |
Автори: | Н.В. Байдусь, В.В. Вайнберг, Б.Н. Звонков, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин, О.Г. Сарбей. | |
Реферат: | Исследован латеральный транспорт электронов в одно- и двухъямных псевдоморфных гетероструктурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с квантовыми ямами глубиной 50−100 мэВ и δ-слоями примеси в области ям с концентрацией 1011 < Ns < 1012 см−2 . В одноямных структурах, с легированием в центре ямы, наблюдаются немонотонная температурная зависимость коэффициента Холла и рост низкотемпературной подвижности электронов при увеличении концентрации примеси. Совокупность полученных результатов свидетельствует о том, что в проводимости таких структур существенную роль играют электронные состояния примесной зоны. Включение примесной зоны позволяет также удовлетворительно объяснять характеристики проводимости двухъямных структур, при этом в отличие от одноямных структур важную роль играет изгиб зон вследствие асимметричного легирования. Численные расчеты проводимости в рамках рассмотренной модели подтверждают сделанные предположения. | |
Ключові слова: | Гетероструктури, квантові ями, латеральний транспорт, гарячі електрони,гальвано-магнітні властивості | |
Видання: | Физика и Техника Полупроводников | | | 2012,
6,російська |
007 Рухливість електронів у квантових ямах GaAs/InGaAs/GaAs |
Автори: | В.В. Вайнберг, О.С.Пилипчук, Н.В. Байдусь, Б.Н.Звонков | |
Реферат: | Досліджена температурна залежність латеральної рухливості електронів у квантових ямах гетероструктур GaAs/InGaAs/GaAs з дельта-легуванням. Досліджені два типа структур: з легуванням у квантову яму та у прилеглий шар бар’єру на малій відстані від ями. У випадку мілких ям в таких структурах експериментальні результати добре описуються відомими механізмами розсіяння при врахуванні форми реальних огинаючих хвильових функцій електронів та вигину зон, зумовленого неоднорідним розподілом позитивного та негативного об’ємних зарядів вздовж напрямку росту шарів гетероструктур. У випадку дельта-легування в квантову яму добре узгодження експерименту з розрахунком досягається при врахуванні внеску електронного транспорту по станах домішкової зони, утвореної дельта-домішкой під дном нижчої квантової підзони. | |
Ключові слова: | Гетероструктури, квантові ями, латеральний транспорт, гарячі електрони,гальвано-магнітні властивості | |
Видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics | | | 2013,
10,англійська |
007 Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами |
Автори: | В. В. Вайнберг, А. С. Пилипчук, В. Н. Порошин | |
Реферат: | Досліджено польові залежності низькотемпературного (Т=4,2 К) латерального магнетоопору гетероструктур з квантовими ямами і селективним леґуванням в області ям. Концентрація домішки у квантових ямах змінювалась у діапазоні (1–7) 1011 см-2 . Виконано аналіз експериментальних результатів у межах наявних теорій слабкої локалізації. Одержано добре узгодження теорії з експериментом при достатньо великій концентрації домішки. Обговорено причини відхилення за малих концентрацій. | |
Ключові слова: | гетероструктури, квантова яма, латеральна провідність, магнітоопір, дельта-легування. | |
Видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології | | | 2014,
10,російська |
007 Вплив провідності по каналу домішкового δ-шару на магніто-квантові ефекти в гетероструктурах AlGaAs/GaAs/AlGaAs |
Автори: | В.В.Вайнберг, О.С.Пилипчук, В.М.Порошин, О.Г.Сарбей, Н.В.Байдусь, А.А.Бирюков | |
Реферат: | Досліджено при 4,2 К латеральний магнітоопір багатошарових гетероструктур AlGaAs/GaAs/AlGaAs з квантовими ямами та домішковими δ-шарами у бар’єрах. Показано, що компоненти тензора класичного магнітоопору та магніто-квантові ефекти у таких структурах суттєво залежать від внеску провідності по каналу з малою рухливістю, утвореного домішковим δ-шаром. Отримані результати аналізуються у рамках моделі електронного транспорту по двох паралельних каналах з різною рухливістю електронів. На основі цієї моделі розраховані концентрації електронів у структурній квантовій ямі та ямі δ-шару, залежності компонентів тензору магнітоопору, включаючи магніто-квантові ефекти, від магнітного поля при різних рівнях легування і отримано добре узгодження експерименту з розрахунками. | |
Ключові слова: | Гетероструктури, квантові ями, селективне легування, магніто-квантові ефекти | |
Видання: | Physica E | | | 2014,
6,англійська |
007 Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах |
Автори: | В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков | |
Реферат: | Проведено розрахунок енергетичного спектра електронів в широкій квантовій ямі з різною кількістю вузьких бар'єрів в області ями. Показано, що рівні розмірного квантування піднімаються по енергії при введенні таких бар'єрів. При максимальному заповненні квантової ями вузькими бар'єрами та утворенні фрагментом короткоперіодної надгратки огинаючі хвильових функцій електронів на рівнях розмірного квантування близькі за формою до огинаючих для звичайної квантової ями. При цьому значно збільшується розсіяння на шорсткостях інтерфейсів гетерограниць. Експериментально досліджено низькотемпературну латеральну провідність по квантовій ямі, яка тунельно-зв'язана з десятиямною короткоперіодною надграткою, і окремо по надгратці. Отримані результати добре узгоджуються з модельними розрахунками та демонструють нову можливість створення паралельних каналів провідності з різною рухливістю електронів. | |
Ключові слова: | гетероструктури, надгратка, квантова яма, латеральна провідність. | |
Видання: | Физика низких температур | | | 2014,
,російська |
007 Ефекти просторового переносу носіїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домішки в бар’єрах |
Автори: | В.В.Вайнберг, А.С.Пилипчук, В.Н.Порошин, О.Г.Сарбей | |
Реферат: | Приведено та проаналізовано результати дослідження електричного на магнітного транспорту носіїв заряду в гетероструктурах з квантовими ямами i домішковими дельта-шарами в прилеглих бар’єрах. Додатний магнітоопір i вигляд залежності рухливості носіїв від концентрації домішки в дельта шарах, при низьких температурах (Т < 20 K), пов’язуються з транспортом носiїв по двох паралельних каналах з різною рухливістю носіїв: структурним i утвореними дельта-шарами домішки квантовим ямам. Нелiнiйна залежність струму від величини прикладеного електричного поля пояснюється зумовленим полем перерозподілом носіїв мiж цими каналами. | |
Ключові слова: | Гетероструктури, квантові ями, латеральна провідність, магнітоопір, дельта-легування | |
Видання: | Український фізичний журнал | | | 2014,
5,англійська |
007 Пространственный перенос и нелинейный латеральный электрический транспорт горячих электронов в гетероструктурах n- AlGaAs/GaAs с дельта-слоями примеси в барьерах |
Автори: | Вайнберг В.В., Кочелап В.А., Коротеев В. В. , Пилипчук А.С., Порошин В.Н., Сарбей О.Г. | |
Реферат: | Проведено исследование транспорта электронов в специально разработанных гетероструктурах AlGaAs/GaAs. Гетероструктуры содержат квантовые ямы и дельта легированные барьеры с большими концентрациями мелких примесей. В таких барьерах вследствие перекрытия волновых функций локализованных носителей в области δ-слоев реализуются проводящие каналы (примесные ямы). Показано, что перераспределение носителей между структурными и примесными ямами, инициируемое приложенным латеральным (лежащим в плоскости ям) электрическим полем, обуславливает сильную нелинейность проводимости структур. Нелинейность возникает при значительно меньших напряженностях поля, чем для других известных структур с пространственным переносом горячих носителей (структуры с однородно легированными барьерами; с связанными КЯ, одна из которых является δ- легированной, и пр.). | |
Ключові слова: | Гетероструктури, квантові ями, латеральна провідність, магнітоопір, дельта-легування | |
Видання: | монографія «Наноразмерные системы и наноматериалы: состояние и перспективы развития исследований в Украине», из-во Академпериодика НАН Украины | | | 2014,
5,російська |
007 Теорія сильно польового електронного транспорту в гетероструктурах AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs з дельта-легованими бар’єрами. Ефект просторового переносу |
Автори: | В.В.Коротєєв | |
Реферат: | Проаналізовані стаціонарні характеристики квантових гетероструктур AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs з дельта-легованими бар’єрами. Показано, що при сильному легуванні в бар’єрі утворюються додаткові канали із малою провідністю. Отримані вольт-амперні характеристики в діапазоні полів до декількох кВ/см на основі розв’язку кінетичного рівняння Больцмана. Встановлено, що в електричних полях більше 1 кВ/см ефект обміну носіями між каналом з великою провідністю у квантовій ямі GaAs та каналами у бар’єрі AlGaAs стає несуттєвим. Цей ефект призводить до появи сильної не лінійності у вольт-амперній характеристиці з ділянкою від’ємної диференційної провідності. Розроблена модель гетероструктури відповідає тим, що створені та досліджені групой проф. Сарбея. Отримані результати пояснюють деякі з результатів, що спостережуються. Встановлено, що ефект просторового переносу має місце як при низьких температурах, так і при кімнатній температурі, що відкриває перспективи розробки нового типу наноструктурованих приладів з керованим струмом. | |
Ключові слова: | Квантові гетероструктури, просторовий перенос, електронний транспорт | |
Видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics | | | 2014,
11,англійська |
Конференції, семінари, читання, на яких представлені результати проекту |
|
007 Виконавець:Інститут фізики, Відділення фізики і астрономії, Секція фізико-технічних і математичних наук Напрям 1. Фізика наноструктур Мета:дослідження надвисокочастотних властивостей напівпровідникових наноструктур з просторовим переносом гарячих носіїв та ефектів, що забезпечують виникнення від’ємної диференційної провідності (ВДП), підсилення та генерацію електромагнітного випромінювання субміліметрового діапазону Очікувані результати:Інше (зб. обсягів виробництва, поліпшення умов праці, поліпшення стану навк. середовища, економія енергоресурсів, економія матеріалів, зменшення зносу обладнання, збільшення продуктивності праці,поліпшення ефективності діагностики і лікування хворих) Етап 1:Розробка теорії просторового переносу заряду в системі квантових ям з селективним легуванням бар’єрів. Розробка та апробація електричних та оптичних методик дослідження просторового переносу гарячих носіїв, характеризація зразків Етап 2:Характеризація структур електричними та оптичними методами; вимірювання міжзонної фотолюмінісценції , в тому числі при прикладанні сильного електричного поля, що ініціює просторовий перенос. Теоретична підтримка експериментів Етап 3:Теоретичне та експериментальне дослідження вольт-амперних характеристик структур з квантовими ямами та бар’єрами легованими глибокими домішками Етап 4:Дослідження латерального електронного транспорту в сильних електричних полях. Вивчення ефекту Холла, магніто-осцілляційних явищ у зв’язаних квантових ямах та спонтанного субміліметрового випромінювання Етап 5:Визначення від’ємної динамічної провідності, вимірювання підсилення субміліметрового випромінювання Розрахунок оптимальних характеристик резонатора. Виготовлення резонатору та проведення експериментів по генерації. Фінальний звіт за темою
|