|
«Институт монокристаллов» проспект Ленина, 60, Харьков, 61001 Телефон: (057) 340 2230; факс: (057) 340 9343 e-mail:info@isc.kharkov.com http://www.isc.kharkov.com
Основные научные направления:
- развитие фундаментальных исследований процессов роста кристаллов и наносистем. Поиск новых кристаллических сред с функционально-важными свойствами. Фундаментальные основы нанотехнологий;
- комплексные исследования физических явлений в оптических монокристаллах, наностистемах и их физико-химических свойств;
- теория нелинейных явлений, транспорта и структурообразования в конденсированных состояниях веществ
Основные достижения и разработки:
- учеными Института разработан технологический цикл выращивания профилированных монокристаллов сапфира методом Степанова для изготовления широкого спектра изделий медицинского предназначения (имплантатов, в том числе сложной конструкции типа пар трения), трубок круглого, квадратного, эллипсоидального и других сечений, лент, призм, профилей Н- и U-типов, стержней;
- для производства высокоэффективных электролюминесцентных источников света разработана технология выращивания сапфира высокого структурного совершенства, оптического качества и химической чистоты из глинозема методом горизонтально направленной кристаллизации (ГНК). Новые технологии внедрены в производство. Себестоимость кристаллов снижена в 2.5 раза. Освоен выпуск сапфира размером 220х220х30 мм3;
- в области получения и исследования оптических кристаллов разработана новая технология скоростного выращивания крупногабаритных нелинейно-оптических кристаллов KDP и DKDP, оптические элементы из которых используются в установках по управляемому термоядерному синтезу. Получены новые радиационно-чувствительные кристаллы типа KDP для детектирования тепловых нейтронов в смешанных гамма - полях;
- впервые выращены крупногабаритные лазерные кристаллы группы АІІBVІ из расплава методом Бриджмена для изготовления оптических элементов силовой оптики ИК диапазона и компактных полупроводниковых детекторов ?-излучения.
- разработан технологический процесс выращивания кристаллов ZnSe:Cr2+, из которых изготовлены активные элементы перестраиваемых лазеров среднего ИК диапазона, которые обеспечивают, на настоящее время, рекордные значения КПД в непрерывном и импульсном режимах генерации. Такие лазеры обладают уникальным набором характеристик, которые дают широкие возможности их использования в медицине, науке, технике и научных исследованиях.
|