Антон Григорович Наумовець2 січня 2016 року виповнилося 80 років видатному вченому й організатору науки, знаному у світі фахівцеві в галузі фізичної електроніки і фізики поверхні, першому віце- президенту НАН України, головному науковому співробітнику Інституту фізики НАН України академіку Антону Григоровичу Наумовцю. |
Академік НАН України А.Г. Наумовець народився в селі Рудка Пінського району Брестської області (Республіка Білорусь) в учительській сім’ї. 1952 року вступив до Київського державного університету імені Тараса Шевченка, навчався на радіофізичному факультеті, який закінчив з відзнакою у 1957 році.
Того ж року А.Г. Наумовець прийшов до Інституту фізики АН України, з яким пов’язана уся його багаторічна плідна наукова діяльність. Тут, у науковому колективі, який очолювали лідери та засновники української наукової школи з фізичної електроніки, члени-кореспонденти НАН України Н.Д. Моргуліс та П.Г. Борзяк, він розпочав свою наукову роботу. 1959 року Антон Григорович вступив до аcпiрантури без відриву від виробництва, яку успішно закінчив і 1964 року захистив кандидатську дисертацію. Науковим керівником роботи був Н.Д. Моргуліс. 1973 року А.Г. Наумовець захистив докторську дисертацію з теми: «Електронно-адсорбційні властивості і атомна структура плівок електропозитивних елементів на металічних монокристалах». У 1981-2013 pр. очолював вiддiл фiзичної електронiки. У 1983-1998 рр. був заступником академіка-секретаря Відділення фізики і астрономії НАН України, у 1998-2004 рр. — академіком-секретарем Відділення фізики і астрономії НАН України, у 2004 році обраний віце- президентом, а у 2014 – першим віце-президентом НАН України.
Результати ґрунтовних наукових досліджень, тонких експериментів, виконаних А.Г. Наумовцем та його учнями за майже шестидесятирічний період активної творчої роботи, добре відомі фахівцям і увійшли до підручників та монографій.
На початку наукової діяльності А.Г. Наумовцем було створенено перший в СРСР гелієвий автоіонний проектор з атомарною роздільною здатністю, за допомогою якого отримані одні з перших у світі достовірних даних про вплив адсорбції на роботу виходу з різних граней монокристала, досліджено дрейф адсорбованих атомів в неоднорідному електричному полі.
А.Г. Наумовець вперше спостерігав структуру субмоношарових адсорбованих плівок при низьких температурах, виявив довгоперіодні двовимірні структури з далекосяжною латеральною взаємодією, а також явище двовимірної конденсації в адсорбованих шарах із відштовхувальною взаємодією. Йому належить виявлення відмінностей характерів упорядкування двовимірних та тривимірних систем, доведення того, що робота виходу поверхні, покритої адсорбованим шаром, залежить здебільшого від ближнього, а не далекого порядку в цьому шарі, виявлення і детальне дослідження фазного характеру поверхневої дифузії в адсорбованих шарах, а також фазової самоорганізації дифузійної зони на поверхні, експериментальне обґрунтування солітонного механізму поверхневої дифузії в області фазового переходу між співмірною і неспівмірною фазами.
Під керівництвом академіка НАН України А.Г. Наумовця і за його безпосередньої участі розроблено технології одержання наноострівцевих плівок із регулярною ланцюжковою структурою, відкрито явище електронно-стимульованої поверхневої дифузії та її основних механізмів, експериментально виявлено двовимірне скло в системі «метал на металі» та сформульовано теоретичний критерій утворення двовимірних стекол на поверхні.
Серед результатів останніх років — виявлення стабільної низькопольової електронної емісії з п’єзоелектриків і резонансного тунелювання електронів при польовій електронній емісії з квантових точок.
Нині відділ фізичної електроніки за участю А.Г. Наумовця інтенсивно працює в галузі молекулярної електроніки та нанофізики.
Працям А.Г. Наумовця притаманна винятково висока культура експерименту. Його дocлiдження проводяться у ретельно контрольованих умовах надвисокого вакууму, на поверхнях із визначеними атомною структурою та хімічним складом, з використанням широкого арсеналу методів діагностики поверхні. Усе це дає йому можливість одержати достовірні результати та на атомному piвні розкрити механізми досліджуваних явищ.
Наукові результати, отримані А.Г. Наумовцем, активно цитуються в літературі. Він є автором і співавтором понад 200 наукових публікацій, в тому числі 2-х монографій, одна з яких («Двумерные кристаллы») видана російською й англійською мовами і є першою в світі монографією щодо двовимірного кристалічного стану речовини. Ним опублікована низка оглядових статей з фізики поверхні в таких авторитетних виданнях, як «УФН», «Soviet Science Reviews», «Surface Science Reports», «УФЖ», «ФНТ» та інші. Має вагомі досягнення в підготовці наукових кадрів: серед його учнів – член-кореспондент НАН України, 7 докторiв і 12 кандидатів наук.
Значне місце в діяльності академіка А.Г. Наумовця займає науково- організаційна робота, яку він успішно здійснював як академiк-секретар Вiддiлення фiзики i acтpoномії НАН України, віце-президент НАН України та продовжує здійснювати нині як перший віце-президент НАН України. Він активно працював і працює в складі редколегiй провідних республіканських і мiжнародних наукових журналів — «УФЖ», «Доповіді НАН України», «Вісник НАН України», «Физика низких температур», «Semiconductor Physics and Optoelectronics», «Країна знань» (Україна), «Surface Science», «Progress in Surface Science» (Нідерланди), «Journal of Physics D: Applied Physics» (Велика Британія), «Physics of Low-Dimensional Structures» (Росія), «Science & Society» (Франція).
Плiдна наукова, науково-органiзацiйна та педагогічна дiяльність А.Г. Наумовця вiдзначена високими міжнародними, державними та академічними нагородами. Вiн є Заслуженим діячем науки і техніки України, лауреатом Державних премій СРСР і України в галузі науки і техніки, премій імені М. М. Боголюбова НАН України та імені В.І. Вернадського фонду «Україна–ХХІ сторіччя», членом Європейської академії наук, мистецтв і літератури та Наукового товариства «Institute of Physics» (Велика Британія), Офіцером Ордену Академічних Пальм Французької Республіки, кавалером орденів князя Ярослава Мудрого ІІІ, ІV та V ступенів, почесним доктором Київського національного університету імені Тараса Шевченка та Харківського національного університету імені В.Н. Каразіна.