Ukrainian
Summary:У посібнику викладено основи сучасних методів структурної діагностики напівпровідникових кристалів багатошарових гетероструктур. Даються коротко основи теорії розсіяння рентгенівських променів та більш детально методи багатовісьової багатокристальної дифрактометрії та їх можливості на прикладах конкретних гетероструктур. На прикладі картографування оберненого простору з використанням дозволених і квазізаборонених рефлексів визначено структурні параметри епітаксійних плівок GaN, зокрема, кут повороту мозаїчних блоків та густина крайових дислокацій. Наведено приклади використання методів рентгенівської топографії в досліджені напівпровідникових матеріалів
Reading audience:Для студентів фізико-математичних та інженерних спеціальностей вищих навчальних закладів
Russian
Summary:В пособии изложены основы современных методов структурной диагностики полупроводниковых кристаллов многослойных гетероструктур. Кратко излагаются основы теории рассеяния рентгеновских лучей и более детально методы многоосной многокристальной дифрактометрии и их возможностей на примерах конкретных гетероструктур. На примере картографирования обратного пространства с использованием разрешенных и квазизапрещенных рефлексов определены структурные параметры эпитаксиальных пленок GaN, в частности, угол поворота мозаичнх блоков и полтность краевых дислокаций. Приведены примеры использования методов рентгеновской топографии в исследовании полупроводниковых материалов
Reading audience:Для студентов физико-математических и инженерных специальностей висших учебных заведений